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利用这种可控、配套简单的方法在电介质基底上制备出高质量石墨烯薄膜将非常有助于石墨烯薄膜在集成电子和光电子学中的应用。开启（e）单层石墨烯薄膜边缘的TEM图。
特别是在电介质基底上大面积生长均匀的石墨烯，试运对于其在电子学和光电子学领域应用是非常重要的。制备的均匀单层石墨烯的FET器件表现出优异的电性能，电投冬奥大巴其载流子迁移率高达3800cm2V-1s-1。配套目前化学气相沉积（CVD）生长法是大规模生产高质量石墨烯的最有前景的一种方法。
研究机理发现，开启二氧化硅基质的羟基化削弱了石墨烯边缘与基底之间的结合，从而实现了初级成核主导的生长。因此，试运直接在电介质基底上制备均匀的石墨烯薄膜虽然存在巨大的挑战，但其具有重大的科学和现实意义。
电投冬奥大巴【背景介绍】可控的制备高质量石墨烯是实现其在各领域广泛应用的重大挑战。
配套（b）初级成核主导的石墨烯在电介质基底上生长的示意图。感兴趣的朋友届时可以在电视的浙江卫视频道收看，开启也可以在手机下载【咪咕视频】客户端，开启并在电视或投影仪通过【当贝市场】下载【当贝投屏】，通过投屏方式在大屏观看节目。
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